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Was sind die Transistoren der Schaltung

Da der Bipolartransistor ein klassischer Dreipunkt ist, gibt es drei Möglichkeiten , um es in einer elektronischen Schaltung mit einem gemeinsamen Einlass und Auslass – Terminal mit:

  • eine gemeinsame Basis (OB) – Hochspannungs-Übertragungskoeffizient;
  • ein Common-Emitter (MA) – ein verstärktes Signal als ein Strom und Spannung;
  • Common-Kollektor (OC) – Stromsignal verstärkt.

In jedem der drei Arten der Transistorschaltkreise es reagiert unterschiedlich auf das Eingangssignal, da die statischen Eigenschaften der aktiven Elemente von den jeweiligen Lösungen abhängen.

Scheme gemeinsame Basis ist eine von drei typischen Konfigurationen enthält Bipolartransistoren. In der Regel wird es als ein Strom oder Spannungspufferverstärker verwendet. Solche Transistoren der Schaltung sind dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter wirkt hier als eine Eingangsschaltung wird ein Ausgangssignal von dem Kollektor und Basis „geerdet“, um einen gemeinsamen Draht gemacht. Eine ähnliche Konfiguration sind FET Umschaltschaltungen in gemeinsamen Gateverstärkern.

Tabelle 1. Die Hauptparameter der Verstärkerstufenschaltung ON.

Parameter

Ausdruck

Koeff.usileniya Strom

I k / I in = I k / I e = α [α < 1]

Bx. Widerstand

R in = U in / I in = U BE / Ie

Scheme Schalttransistoren auf unterschiedliche stabilen Temperatur- und Frequenzeigenschaften, die eine geringe Abhängigkeit der Parameter (Spannungsverstärkung, Stromstärke, Eingangsimpedanz) durch die Temperatur der Arbeitsumgebung Bedingungen. Die Nachteile umfassen eine kleine Schaltung R IN und das Fehlen von Stromverstärkung.

Scheme gemeinsamen Emitter liefert eine sehr hohe Verstärkung und erzeugt ein Ausgangssignal invertiert, was eine ziemlich große Schwankung aufweisen. Transmissionskoeffizienten in diesem System hängt weitgehend von der Temperatur der Vorstrom, wobei die tatsächliche Verstärkung etwas unvorhersehbar ist. Diese Transistoren liefern hohe Umschaltschaltung BX R der Koeffizient für die Strom- und Spannungsverstärkung, Eingangssignal Invertierung, Bequemlichkeit Inklusion. Die Nachteile sind die Probleme im Zusammenhang mit der Overdrive – Möglichkeit der spontanen positiven Rückkopplungs Verzerrung tritt für kleine Signale aufgrund des niedrigen Eingangsdynamikbereiches.

Tabelle 2. Die Hauptparameter der Verstärkerstufe nach dem Schema OE

Parameter

Ausdruck

Quoten. Stromverstärkung

I out / I in = I k / I B = I k / (I e -I k) = α / ( 1-α) = β [β >> 1]

Bx. Widerstand

R in = U in / I in = U / I – b

Scheme gemeinsamen Kollektor (auch in der Elektronik als Emitterfolger bezeichnet) ist einer von drei Arten von Transistoren der Schaltung. Es wird das Eingangssignal über die Basiskette zugeführt wird, und der Ausgang von dem Widerstand in der Emitterschaltung des Transistors entfernt ist. Eine solche Konfiguration der Verstärkerstufe wird als ein Spannungspuffer verwendet. Hier wird die Basis des Transistors dient als der Eingangsschaltung, dessen Emitter ausgegeben wird, und der Kollektor ist gemeinsamen Punkt geerdet ist, daher der Name Schema. Analogen können als Leitungsvermittlung dienen FETs mit einem gemeinsamen Auslass. Der Vorteil dieses Verfahrens ist ziemlich hohe Eingangsimpedanz-Verstärkerstufe und ein relativ niedriger Ausgang.

Tabelle 3. Die Hauptparameter der Verstärkerstufe nach dem Schema OK.

Parameter

Ausdruck

Quoten. Stromverstärkung

I out / I in = I E / I b = I e / (I e -I k) = 1 / (1-α) = β [β >> 1]

Koff. Spannungsverstärkung

U out / U = U in Re / (U + U Re werden) < 1

Bx. Widerstand

R in = U in / I in = U BE / Ie

Alle drei typischen Schaltungsschalttransistoren werden in der Schaltung in Abhängigkeit von dem Ziel des elektronischen Geräts und der Umgebung ihrer Anwendung weit verbreitet.